《石墨烯纖維制造工藝配方精選》
耐高溫 高質量 耐損耗 超高功率 國家標準產品
New Technology Of Graphite Materials
國際新技術資料網 最新推出
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近年研制的石墨電極高新技術！各種石墨電極制品應用，產品配方 生產工藝技術。產品新穎，環保，涉及面廣。內容涵蓋技術背景/原理、材料配方比例、制作方法、工藝步驟、結構設計圖（部分設備類有），以及發明人名稱、地址、郵編、申請日期、專利號、權利要求等詳細信息?。?！ 想要高技術配方! 想生產高性能!想降低成本! 想創業轉型! 請訂購2021新版《石墨電極制造及應用新技術精選》!
新版《石墨烯纖維制造工藝配方精選》
石墨烯是由單層碳原子通過共價鍵結合的具有規則六方對稱結構的二維晶體，是目前己知的厚度最薄、硬度最大的二維材料，雙層石墨烯由于特殊的能帶結構，可以在外加電場的作用下，打開并調節帶隙，因此其在數字電子器件和光電子學領域應用潛力巨大。石墨烯在傳感器領域具有顯著的應用前景，其獨特的二維結構和巨大的表面積使其對周圍環境極為敏感，能夠檢測到單原子的吸附和釋放。此外，石墨烯的高電導率和低噪聲特性使其能夠偵測微小的電阻變化。這些特性不僅提升了傳感器的性能，石墨烯具有優異的光學、電學、力學特性，在材料學、微納加工、能源、生物醫學和藥物傳遞等方面具有重要的應用前景。
近年來，柔性電子設備得到了快速發展，比如折疊顯示器，脈搏傳感器等。為了滿足柔性電子設備的需要，人們將重點發展輕薄、電化學性能優異的電子設備。柔性超級電容器作為一個新興的電子儲能設備，具有功率高、能量密度大、綠色環保、充放電速率快、電化學性能穩定等優點麗受到人們廣泛關注。超級電容器性能的優異主要確定于電極材料的選擇，目前常用的電極材料主要包括碳基材料、導電聚合物和過渡金屬化合物等。
近年來，柔性電子設備得到了快速發展，比如折疊顯示器，脈搏傳感器等。為了滿足柔性電子設備的需要，人們將重點發展輕薄、電化學性能優異的電子設備。柔性超級電容器作為一個新興的電子儲能設備，具有功率高、能量密度大、綠色環保、充放電速率快、電化學性能穩定等優點麗受到人們廣泛關注。超級電容器性能的優異主要確定于電極材料的選擇，目前常用的電極材料主要包括碳基材料、導電聚合物和過渡金屬化合物等。
GaN作為第三代半導體由于具有高電子飽和漂移速率，寬禁帶，耐高溫，高擊穿場強等優點，是固態微波功率器件和功率電子器件未來的發展方向。
【內容介紹】 本資料收錄了國內外最新GaN基晶體管制造工藝配方,最新專利技術新成果全文資料，工藝配方詳盡，技術含量高、從事高性能、高質量、GaN基晶體管研究生產單位提高產品質量、開發新產品的重要情報資料。
【資料內容】生產工藝、配方
【資料數量】62項
【出品單位】國際新技術資料網
【電 子 版】1480元（PDF文檔 郵件傳送）
目錄
| 1 | 一種GaN基晶體管及其制作方法和應用 | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 2 | 一種GaN晶體管結構及其制備方法 | 安徽大學 |
| 3 | GaN晶體管與柵極驅動器的合封結構及合封方法 | 上海燁映微電子科技股份有限公司 |
| 4 | 具有傾斜柵極場板的GaN半導體功率晶體管和制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
| 5 | 基于薄膜晶體管技術的單片集成GaN共源共柵結構 | 西安電子科技大學 |
| 6 | 具有雙柵結構的p-GaN柵極氮化鎵高電子遷移率晶體管 | 北京大學 |
| 7 | 一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 湖北九峰山實驗室 |
| 8 | 一種具有GaN/AlGaN異質結的GaN基絕緣柵雙極型晶體管 | 東南大學 |
| 9 | 基于超薄AlN緩沖層和SiN歐姆接觸層的GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 10 | p-GaN柵高電子遷移率晶體管模型及其建模方法 | 東南大學;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 11 | 具有階梯式金屬場板的GaN半導體功率晶體管及制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
| 12 | 常關型極化超結GaN基場效應晶體管和電氣設備 | 株式會社POWDEC |
| 13 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 14 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 15 | 一種鐵電極化耦合的GaN場效應晶體管 | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 16 | 一種凹槽型肖特基源p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 17 | 一種具有P-GaN源極擴展的GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 18 | 一種超晶格柵極的GaN高電子遷移率晶體管 | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 19 | 具有臺階P型GaN半包圍MIS柵的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 重慶郵電大學 |
| 20 | 一種N面GaN/ScAlGaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 21 | 一種GaN襯底表面無損傷生長金剛石膜的方法以及GaN基高電子遷移率晶體管 | 西安交通大學 |
| 22 | 具有主GaN功率晶體管和GaN電流感測晶體管的GaN管芯 | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 23 | 一種單片集成的全GaN共源共柵場效應晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 24 | 具有增強型折疊形狀的AlGaN/GaN MIS高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 25 | 具有高閾值電壓的高壓縱向GaN高溝道電子遷移率晶體管 | 電子科技大學 |
| 26 | 一種GaN高電子遷移率晶體管結構及制作方法 | 天津市濱海新區微電子研究院 |
| 27 | 一種GaN基混合柵增強型高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 北京大學 |
| 28 | 一種GaN基納米尺度肖特基勢壘場效應晶體管 | 長沙理工大學 |
| 29 | 一種具有P型GaN柵增強型GaN晶體管結構及其制備方法 | 西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院 |
| 30 | 一種高壓橫向GaN高電子遷移率晶體管 | 江蘇希爾半導體有限公司;樂山希爾電子股份有限公司;樂山嘉洋科技發展有限公司 |
| 31 | 具有漸變背勢壘緩沖層InAlN/GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 中國科學院半導體研究所 |
| 32 | 一種基于平面斜柵結構的高線性GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 33 | 基于Fin結構的GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 34 | 一種具有肖特基島結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 35 | 一種具有埋層結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 36 | 一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 37 | 一種基于P型氮化物隔離的P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 38 | 一種異質結注入的溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學 |
| 39 | p-GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 無錫先瞳半導體科技有限公司 |
| 40 | 一種高線性度GaN晶體管及制備方法 | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 41 | 具有垂直AlGaN/GaN結構的高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 江蘇芯港半導體有限公司 |
| 42 | 一種具有n-GaN二次外延層的GaN基高電子晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導體有限公司 |
| 43 | 降低襯底漏電流的GaN基JFET場效應晶體管及其制備方法 | 南京大學 |
| 44 | 一種抗單粒子加固的P-GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 中國空間技術研究院 |
| 45 | 一種具有GaN基多溝道凹槽MIS結合PN結柵的垂直晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導體有限公司 |
| 46 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 47 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司 |
| 48 | 提高抗輻照能力和耐氫特性的GaN基高電子遷移率晶體管 | 中國科學院半導體研究所 |
| 49 | GaN襯底晶體管器件及其制備方法 | 浙江芯科半導體有限公司 |
| 50 | 具有高功率優值與優異導通特性的GaN場效應晶體管 | 江蘇芯唐微電子有限公司 |
| 51 | 一種低歐姆接觸GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院 |
| 52 | GaN基增強型功率晶體管 | 中國科學院微電子研究所 |
| 53 | 一種N襯底溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學 |
| 54 | 結型積累層增強型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 55 | GaN基增強型功率晶體管的制備方法 | 捷捷半導體有限公司;中國科學院微電子研究所 |
| 56 | 基于離子注入的抗單粒子p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 57 | 基于P型GaN漏電隔離層的同質外延氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
| 58 | 基于原位生長MIS結構的P-GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 59 | GaN場效應晶體管 | 中國科學院半導體研究所 |
| 60 | 一種傾斜式GaN HEMT集成散熱晶體管及其制備方法 | 深圳大學 |
| 61 | 基于AlGaSbN/GaN異質結的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學 |
| 62 | GaN基高電子遷移率晶體管、歐姆金屬電極及其制備方法 | 中國科學院微電子研究所 |
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