《氧化鋯陶瓷制造工藝配方精選》
耐高溫 機械強度高 耐損耗 超高功率 國家標準產品
New Technology Of Graphite Materials
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2021新版《氧化鋯陶瓷制造工藝配方精選》
氧化鋯陶瓷的生產要求制備高純、分散性能好、粒子超細、粒度分布窄的粉體，氧化鋯超細粉末的制備方法很多，氧化鋯的提純主要有氯化和熱分解法、堿金屬氧化分解法、石灰熔融法、等離子弧法、沉淀法、膠體法、水解法、噴霧熱解法等。粉體加工方法有共沉淀法、溶膠一凝膠法、蒸發法、超臨界合成法、微乳液法、水熱合成法網及氣相沉積法等.
在功能陶瓷方面，其優異的耐高溫性能作為感應加熱管、耐火材料、發熱元件使用。氧化鋯陶瓷具有敏感的電性能參數，主要應用于氧傳感器、固體氧化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell, SOFC）和高溫發熱體等領域。ZrO2具有較高的折射率（N-21^22），在超細的氧化鋯粉末中添加一定的著色元素（V2O5, MoO3, Fe2O3等），可將它制成多彩的半透明多晶ZrO2材料，像天然寶石一樣閃爍著絢麗多彩的光芒，可制成各種裝飾品。另外，氧化鋯在熱障涂層、催化劑載體、醫療、保健、耐火材料、紡織等領域正得到廣泛應用。
為了配合國家產業政策向廣大企業、科研院校提供的我國及國外最新工藝功能陶瓷及耐火制品技術制造工藝配方專利匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造 資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、配方、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發、參與市場競爭的必備工具。 本篇匯編資料分為精裝合訂本和光盤版，內容相同，用戶可根據自己需求購買。現貨發行，歡迎新老客戶選購。特快專遞郵寄。資料分為上、下兩冊，A4紙大，共748頁現貨發行，歡迎訂購
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目錄
| 1 | 使延伸后的粘合片上的物體的面剝離力低于延伸前的粘合片上的物體的面剝離力。 |
| 2 | 粘合層在其表面具有凹凸，且在23℃下具有0.001MPa以上且1.0MPa以下的復剪切彈性模量。 |
| 3 | 在80℃下放置168小時后的粘著劑層對浮法玻璃的粘著力為18N/25mm以下。明提供一種窗膜，其具有能夠兼顧貼附時的強粘著性與經過規定期間后的再剝離性的粘著劑層。 |
| 4 | 提供生產性優異、抑制了磨削屑的附著量的工件加工用粘合片及其制造方法、以及使用上述工件加工用粘合片的電子器件裝置的制造方法。 |
| 5 | 在活性能量射線照射前對工件的活性面顯示良好的密合性，同時在活性能量射線照射后能夠進行良好的工件的分離的工件加工用片 |
| 6 | 即使對于工件的活性面也能夠抑制密合性過度上升且能夠實現良好的工件加工的工件加工用片。其具備基材及層疊在所述基材的單面側的粘著劑層。 |
| 7 | 粘著劑優選為丙烯酸類粘著劑、特別優選含有(甲基)丙烯酸酯聚合物通過交聯劑交聯而成的交聯物。由此，可實現兼具粘著劑及再操作性。 |
| 8 | 使該能量射線交聯性粘合劑組合物進行能量射線交聯而成的交聯粘合劑及其制造方法、以及使用了該交聯粘合劑的粘合片及其制造方法。 |
| 9 | 含有：(A)具有能量射線交聯性的丙烯酸類聚合物、以及(B)實質上不包含自由基反應性的不飽和雙鍵、且重均分子量(Mw)為280000以下的除上述成分(A)以外的丙烯酸類聚合物。 |
| 10 | 層疊體通過對上述樹脂膜與上述能量射線交聯性粘合劑組合物層的層疊體進行上述能量射線照射而形成。 |
| 11 | 具有基材與配置于基材的一個主面上的粘著劑層的窗膜，其中，在23℃下持續施加3000Pa的剪切應力1200秒后的粘著劑層的蠕變柔量為200(1/MPa)以下。 |
| 12 | 具備良好地追隨凹凸、同時耐起泡性優異且不會產生光學不均的粘著劑層的粘著片。 |
| 13 | 使用了該粘著片1的柔性裝置在自彎曲狀態釋放后難以留下彎曲痕跡。蠕變變化率(%)=(1?C2/C1)×100…(I)。 |
| 14 | 表面粗糙度變化率(％)＝(1?加壓后Sa/加壓前Sa)×100…(1)。 |
| 15 | 導熱性粘著劑組合物，其含有粘著性樹脂、具有二維結構的石墨烯及填料。 |
| 16 | 能夠發揮對被粘物的良好的固定性，同時能夠實現粘著劑層的再循環。 |
| 17 | 有機硅類粘著劑，能夠良好地將剝離片剝離。 |
| 18 | 活性能量射線固化后的上述粘著劑的凝膠分率優選為60%以上且99%以下。根據上述粘著片1，可謀求兼顧內聚力與密合性。 |
| 19 | 該粘著片1適合貼附于具有多個發光體的構件。 |
| 20 | 粘著片的耐候性及耐起泡性優異。 |
| 21 | 該工件加工用片，即使在長時間暴露于熒光燈下時，也能充分地維持粘著力。 |
| 22 | 高頻介電加熱用粘接劑，測定的上述高頻介電加熱用粘接劑(1A)的全光線透過率為50％以上。 |
| 23 | 具備基材與層疊于所述基材的單面側的粘著劑層的工件加工用片，所述粘著劑層由含有受阻胺類穩定劑的活性能量射線固化性粘著劑構成。 |
| 24 | 該固化性粘接片滿足下述要素(I)。要素(I)：以剝離角度180°、剝離速度300mm/分鐘從上述固化性粘接劑層剝離第1剝離膜時的剝離力(R1)為250mN/50mm以下。 |
| 25 | 該工件加工用片即使在進行了加熱處理的情況下，仍能夠容易地進行帶保護膜的工件的分離。 |
| 26 | 該固化性粘接片滿足下述要素(Ia)。·要素(Ia)：第2剝離膜的厚度(T2)與第1剝離膜的厚度(T1)的厚度比(T2)/(T1)為1.05以上。 |
| 27 | 含有具有羥基的苯氧基樹脂(A)和在常溫下為液體的含環狀醚基化合物(B)的粘接劑組合物形成，凝膠分率為15％以上。 |
| 28 | 該方法是以上述粘合劑層作為粘貼面將上述粘合片粘貼于作為被粘附物(W)的一面的面(Wα)后使其部分膨脹的方法，該方法包括工序1及2。 |
| 29 | 半導體加工用粘合片依次具有表面涂層、緩沖層、基材及粘合劑層，所述表面涂層含有苯乙烯類樹脂，所述苯乙烯類樹脂中的源自苯乙烯類化合物的結構單元的含量為50質量％以上。 |
| 30 | 半導體加工用粘合片依次具有表面涂層、緩沖層、基材及粘合劑層，上述表面涂層是含有樹脂成分和經過了疏水化處理的二氧化硅的層。 |
| 31 | 提供固化性粘接劑組合物，其包含：具有反應性官能團的粘結劑樹脂(A)；具有乙烯基、數均分子量為1500以上且小于5000的聚苯醚樹脂(B)；以及具有2個以上在末端具有雙鍵的不飽和烴基的多官能性化合物(C)。 |
| 32 | 本發明提供一種固化性粘接劑組合物、其固化物和固化物的制造方法 |
| 33 | 使用了該能量射線交聯性粘合劑組合物的粘合片、使該能量射線交聯性粘合劑組合物發生能量射線交聯而成的交聯粘合劑及其制造方法、以及使用了該交聯粘合劑的粘合片及其制造方法， |
| 34 | 相對于所述原料組合物的有效成分總量含有0.1質量％以上的(B)成分，所述固化性粘接劑層的凝膠分數為10質量％以上。 |
| 35 | 通過固化性粘接劑組合物固化，提供在23℃、頻率1GHz下的介電損耗角正切低于0.0050的固化物。 |
| 36 | 所述導電性基材在該導電性基材的面擴展方向上實質上不具有延伸露出的伸出部，所述中間層的至少一部分為包含導電性粘合劑層的結構。 |
| 37 | 通過特定的壓痕深度的變化率的測定方法測定的壓痕深度的變化率為60％以上。 |
| 38 | 在剝離2秒后，對距離上述ITO?PET膜的露出面50px的位置的靜電電位進行測定而得到的剝離靜電壓為0.15kV以下。 |
| 39 | 導電性基材在該導電性基材的所述導電層側與具有電剝離性的第1粘合劑層層疊。 |
| 40 | 粘著劑層(12)與硅鏡面晶圓之間的粘著力(X0)為5000mN/25mm以下，以130℃對粘著劑層(12)進行加熱、使其進行能量射線固化時，粘著劑層(12)的能量射線固化物與硅鏡面晶圓之間的粘著力(X1)為400mN/25mm以下。 |
| 41 | 用于光學用途的粘著劑，所述粘著劑包含具有大于2.5且為3.0以下的修飾度的修飾環糊精，所述粘著劑的凝膠分率為1.0％以上。該粘著劑即使在高溫下其耐久性也優異。 |
| 42 | 該熱膨脹性粘接劑組合物的熱膨脹性粘接片，所述熱膨脹性粘接劑組合物含有熱固性樹脂(A)、熱膨脹性粒子(B)及無機填料(C)，上述無機填料(C)的平均粒徑(D＆lt;subgt;50＆lt;/subgt;)為200nm以下。 |
| 43 | 以10m/分鐘的剝離速度從粘著劑層上剝離時的第一剝離片的剝離力比以10m/分鐘的剝離速度從粘著劑層上剝離時的第二剝離片的剝離力大且剝離力差大于24mN/25mm，以2.4m/分鐘的剝離速度從粘著劑層上剝離時的第一剝離片的剝離力為150mN/25mm以下。 |
| 44 | 樣品的距法線15°處的亮度相對于所述樣品的正面0°處的亮度的亮度比為0.003以上，去偏振度為2.20％以下。 |
| 45 | 優選該(甲基)丙烯酸酯聚合物含有含芳香環單體作為構成該聚合物的單體單元。 |
| 46 | 提供具有抗靜電性且拾取性優異且粘著劑層與基材的密合性優異的工件加工用片。 |
| 47 | 半導體加工用粘合片依次具有表面涂層、緩沖層、基材及粘合劑層，上述表面涂層是由含有有機硅化合物的表面涂層形成用組合物形成的層。 |
| 48 | 半導體加工用粘合片依次具有表面涂層、緩沖層、基材及粘合劑層，上述表面涂層相對于SUS304的靜摩擦系數為0.70以下。 |
| 49 | 在硅晶圓的#2000拋光面上貼附保護膜形成膜1小時后，該保護膜形成膜對硅晶圓的粘著力在23℃下為20N/25mm以下。 |
| 50 | 所述保護膜形成膜的400～700nm整個波長范圍的光的反射率為20％以上。 |
| 51 | 按照JIS L 1094:2014測定的所述保護膜形成膜的最大靜電壓為1000V以下、且靜電壓的半衰期為30秒以下。 |
| 52 | 所述基材由選自含有聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丁二酸丁二醇酯和聚乳酸中的至少一種材料構成。高酸值聚酯樹脂的玻璃化轉變溫度優選為20℃以上85℃以下。 |
| 53 | 從23℃升溫至130℃時的每1℃的平均位移量(A23→130)比從130℃緩慢冷卻至50℃時的每1℃的平均位移量的絕對值(|B130→50|)小。 |
| 54 | 將基材(11)沿MD方向拉伸而使其伸長50％時的拉伸應力與將基材(11)沿其CD方向拉伸而使其伸長50％時的拉伸應力之比(R50％)為1.3以下。 |
| 55 | 所述粘接糊在低溫下加熱而得到的固化物的粘接性優異，并且即使涂布在被涂布物上后經過長時間后，也可良好地安裝半導體元件。 |
| 56 | 本發明提供一種能夠兼顧片的拉出不良與隔著基材觀察時的激光打標的辨認性的支撐片、具備該支撐片與保護膜形成膜的保護膜形成用復合片、以及半導體裝置等裝置的制造方法。 |
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